無掩膜直寫光刻的核心在于“直寫”和“無掩膜”：

‌直寫：‌聚焦的激光束、電子束或其他類型的能量束（如離子束）直接在光刻膠表面移動掃描，按照設計好的圖形圖案曝光光刻膠。

‌無掩模：‌圖形的圖案信息以數(shù)字文件的形式存儲在計算機中，并通過精確的空間光調制器或光束偏轉控制系統(tǒng)實時控制光束的開關和位置，代替了傳統(tǒng)的光學掩模版來定義圖形。

目前主流的有兩種技術路線：

‌激光直寫：‌

‌核心部件：空間光調制器。

‌工作原理：使用高功率激光器（通常是紫外或深紫外波長）作為光源。光束照射到空間光調制器上。SLM由數(shù)百萬個微小的、可獨立尋址的反射鏡或液晶單元組成。計算機根據(jù)設計圖形控制每個單元的開關狀態(tài)（開/關或調節(jié)相位/振幅），從而將數(shù)字圖形信息“加載”到入射光束上。調制后的光束再通過投影光學系統(tǒng)縮小并聚焦到光刻膠表面。工件臺精確移動基板（或光束掃描），最終將整個設計圖形逐場或逐行“寫入”到基板上。

‌優(yōu)點：速度快（相對于電子束），系統(tǒng)相對成熟，成本適中。

‌缺點：分辨率受限于光學衍射極限和SLM單元的尺寸。

‌電子束直寫：‌

‌核心部件：電子束光刻柱（電子槍、電磁透鏡、束閘、精密偏轉線圈）。

‌工作原理：利用熱場發(fā)射或冷場發(fā)射產(chǎn)生的細聚焦高能電子束。計算機控制電磁偏轉線圈，使電子束在基板表面精確掃描。束閘控制電子束的開關。電子束按照設計圖形逐點轟擊光刻膠，引發(fā)化學反應（對于正膠是分解，負膠是交聯(lián)）。工件臺移動基板完成大面積曝光。

‌優(yōu)點：分辨率高‌（可達納米甚至亞納米級別），是研發(fā)和高分辨率原型制造的技術。

‌缺點：速度慢（串行掃描），鄰近效應影響圖形精度，設備昂貴且復雜，運行和維護成本高。